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  • 上海防腐防水保温工程资质(容光焕发)
  • 级资质标准:1、企业资产净资产1000万元以上。2、企业主要人员(1)技术负责人具有8年以上从事工程施工技术管理工作经历,且具有工程序列中级以上职称或注册建造师执业资格;工程序列中级以上职称和注册建造师合计不少于15人,且结构、材料或化工等专业齐全。(2)持有岗位证书的施工现场管理人员不少于15人,且施工员、质量员、安全员、机械员等人员齐全。(3)经考核或培训合格的防水工、电工、油漆工、抹灰工等技术工人不少于30人。3、企业工程业绩近5年承担过下列2类中的1类工程的施工,工程质量合格。(1)单项合同额200万元以上的建筑防水工程1项或单项合同额150万元以上的建筑防水工程3项;(2)单项合同额500万元以上的防腐保温工程2项。二级资质标准:1、企业资产净资产400万元以上。2、企业主要人员(1)技术负责人具有5年以上从事工程施工技术管理工作经历,且具有工程序列中级以上职称或注册建造师执业资格;工程序列中级以上职称和注册建造师合计不少于3人,且结构、材料或化工等专业齐全。(2)持有岗位证书的施工现场管理人员不少于10人,且施工员、质量员、安全员等人员齐全。(3)经考核或培训合格的防水工、电工、油漆工、抹灰工等技术工人不少于15人。(4)技术负责人(或注册建造师)主持完成过本类别资质一级标准要求的工程业绩不少于2项。审批的流程有哪些,接下来为大家介绍一下南通资质建筑业企业资质审批流程和时间。资质建筑业企业资质审批流程:1.建筑企业到工商行政管理部门办理登记手续,领取企业法人营业执照,2.向企业所在城市的建设行政主管部门申领建筑业资质申请表,按规定填写申请表并准备批准,3.县(市)建设行政主管部门对原物料进行初步审核(市区直接到市建设行政主管部门初审并提交原物料审核),4.对申请建筑资质的企业进行网上公示。建筑资质审批需要多长时间公示时间不得少于十日,5.市建设行政主管部门组织专家进行评审,6.主管领导进行审批,7.将合格公司的申请材料提交给省建设厅新申请资质和升级建筑资质审批时间:1.二级及以下专业企业资


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  • 晶体管特性测试仪IV曲线图示仪
  • 晶体管特性测试仪IV曲线图示仪概述:SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。详询18140663476;产品特点:30μV-1200V;1pA-100A宽量程测试能力;测量精度高,全量程下可达0.03%精度;内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;在CV和IV测量之间快速切换而无需重新线;提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;免费提供上位机软件及SCPI指令集;典型应用:纳米、柔性等材料特性分析;二极管;MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;第三代半导体材料/器件;有机OFET器件;LED、OLED、光电器件;半导体电阻式等传感器;EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;电阻率系数和霍尔效应测量;太阳能电池;非易失性存储设备;失效分析;系统技术规格订货信息模块化构成:低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选-小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选,Z大脉冲电流10A或30A可选-小电流分辨率1pA-小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1%-Z大电压1200V,Z大直流100mA-小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V,Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-小电流分辨率10pA-小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz,可选配至10MHz-支持高压DC偏置,Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试,C-V、C-f、C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征,往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试,都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU),具有四象限,多量程,支持四线测量等功能,可用于输出与检测高精度、微弱电信号,是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配,实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiCMOS、GaN等单管,模组类产品的测试;也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

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