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  • 彩石金属瓦厂家屋面金属瓦防火装饰瓦七波瓦镀铝锌轻质瓦平改坡钢结构屋顶瓦彩石金属瓦耐候性实验方案建议:一、瓦面耐候性试验是模拟夏季瓦面经高温日晒后突降暴雨和冬夏年温度的反复作用,对房顶瓦面进行的加速气候老化试验,是检验和评价房顶瓦体系质量的重要的试验项目。耐候性试验与实际工程有着很好的相关性,能很好地反应实际的耐候性能。大耐侯性试验要求试样经20次高温(70℃)——降雨(15℃)循环和20次加热(50℃)——冷冻(-20℃)循环后不得出现空鼓、脱落及开裂。具体试验方式研讨,得出一套类似于国家建筑材料测试中心耐候性的检测方法,我司内部对户外系列产品的综合性能测试具有如下特点:?二、高频率:对于一个注重技术及检测的厂家,每一个产品的研发、每一次配方的调整、每一种原材料的更换,除了应进行严格定量的单项指标检测分析,还应该实物产品,进行定性的施工性能及综合性能检测。?三、时效高:商场如战场,企业为了满足市场的需要,对试验的时效往往要求都很高,而绝大多数的检测机构由于体制的原因,所提供的服务往往很难达到企业的检测要求。?四、日照的模拟:国内目前通行的耐老化试验方法是氙弧辐射,但在国外氙弧辐射和紫外光老化试验都是应用广泛的试验方法,这两种方法是基于完全不同的原理。氙灯照射试验箱仿制全部的太阳光谱,包括紫外光、可见光和红外光,其目的是模拟太阳光。而紫外光老化试验并不企图仿制太阳光线,而只是模仿太阳光的破坏效果。它是基于这样的原理,长期在室外暴露的耐久性材料,受短波紫外光照射引起的老化损害大。?经过综合性价比分析:我司拟用紫外线+普通烘烤灯模拟日光的直射状态,确保日照破坏与温度破坏均接近实际情况。?五、温度的模拟:根据行标的要求,耐候性实验室的温度控制范围应该达到-25℃~30℃。但由于制冷设备造价昂贵,并根据冬冷夏热地区的气温变化范围,我们暂按0℃~70℃进行模拟,方法如下:?1:0℃~10℃范围:主要采用冰块对实验室进行降温,同时使用冰水混合物对实验瓦进行喷淋冷却。?2:10℃~50℃范围:主要采用温度控制箱对实验室进行温度调节,其可调范围为室温至50℃,同时使用辅助电加热手段对实验室进行加温。?3:50℃~70℃范围:夏季日照时间长,而且太阳辐射强度大,通常水平屋顶外表面的空气综合温度达到60~70℃,西墙面综合温度达到50~60℃,东墙面综合温度达到45~50℃,根据这一要求,我们采用了5-10组烘灯及2组紫外线灯进行模拟阳光直射进行烘烤,确保实验墙表面温度达到理想温度,并足够照射时间。?六、附述:如上检测方法并不代表产品就能达到如此要求,但可以拿彩石金属瓦粘合剂3020所生产出来的彩石金属瓦和其它同类彩石瓦产品做同样的测试来区分优劣。

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  • C14(1-十四烯)
  • 2024-09-11 C14(1-十四烯)

    产品名称:C14(1-十四烯)【英文名称】1-TetradeceneCASno:1120-36-1【分子式】CH3-(CH2)11-CH=CH2【相对分子量】196.4应用本产品可用来生产各种马来酸酐共聚合物.本产品作为新型造施胶剂.本产品用作生产C14醇,烷基苯,α-烯烃磺酸盐,ADAM等表面活性剂产品,兼有很好的去污能力和生物降解性.本产品还用作生产香精香料,环氧化物,卤化物,烷基硅烷,金属有机化合物等等

    [山东 济南市]

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  • 晶体管特性测试仪IV曲线图示仪
  • 晶体管特性测试仪IV曲线图示仪概述:SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。详询18140663476;产品特点:30μV-1200V;1pA-100A宽量程测试能力;测量精度高,全量程下可达0.03%精度;内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;免费提供上位机软件及SCPI指令集;典应用:纳米、柔性等材料特性分析;二极管;MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;第三代半导体材料/器件;有机OFET器件;LED、OLED、光电器件;半导体电阻式等传感器;EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;电阻率系数和霍尔效应测量;太阳能电池;非易失性存储设备;失效分析;系统技术规格订货信息模块化构成:低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选-小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选,Z大脉冲电流10A或30A可选-小电流分辨率1pA-小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1%-Z大电压1200V,Z大直流100mA-小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V,Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-小电流分辨率10pA-小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz,可选配至10MHz-支持高压DC偏置,Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试,C-V、C-f、C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征,往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试,都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU),具有四象限,多量程,支持四线测量等功能,可用于输出与检测高精度、微弱电信号,是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配,实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案针对市面上不同封装类的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiCMOS、GaN等单管,模组类产品的测试;也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

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